在测量拉曼光谱仪的灵敏度参数时，有人提出，单晶硅的三阶拉曼峰的强度跟硅分子的取向(什么111，100之类)的有关，使用不同取向的硅使用与其相匹配的激光照射时，其强度严重不一样，是这样吗?不知道大家测量拉曼光谱仪的灵敏度时都是怎么测量的?
 

　　1.是的，硅单晶片放置的方向不同峰的强度不同。一般只观察520cm-1峰的强度，不同的硅片取向，不同倍数的物镜，长焦物镜或短焦物镜，520cm-1峰的强度都不同。
 

　　2.520cm-1处好像不是硅的三阶峰的位置吧，测试灵敏度的时候一般是硅的三阶峰的信噪比来衡量呀。520处是跟硅的取向有关系，但是单晶硅的三阶拉曼峰呢?

 

　　3. 硅三阶峰位置1440cm-1。
 

　　4.关于硅晶体各向异性的说明可以做偏振拉曼光谱，有些楼主同志说拉曼强度跟光源强度，透镜倍数，等因素有关，说法没错，但是，这个跟硅的各向异性并没多大关系，随便一个样品的拉曼强度都跟这些因素有关!
 

　　硅的各向异性，比如，以VV偏振沿硅的111和110面做谱图，在光源强度，透镜倍数等因素都相同条件下拉曼强度是不一样的，根据这些强度还有入射角度，偏振配置可以计算出硅的各向异性指标!
 

　　这里可能涉及到很多拉曼光谱的原理和偏振光学，偏振配置等一些计算方法(涉及到的理论包括：群论，晶体结构理论，固体物理，偏振光学，拉曼原理等理论)。